静电是物体所带绝对运动不动单极性的电荷,滞留于物体外面,是正电荷和负电荷在部分规模落空均衡的成果,是经由过程电子或离子转移而构成的。构成电子不均衡散布的缘故原由是电子受外力而离开轨道,这个外力包含各种能量(如动能、位能、热能、化学能等),是以在日常生活中,像打仗、磨擦、冲刷、电解、压电、误差、感到等都邑发生静电。
2、静电对电子元器件的迫害
静电的根本物理特性:吸引与排挤的力气;与大地间有电位差;发生放电电流因为这些特性,静电放电对半导体器件能够发生如下损坏:
1)薄的氧化层被击穿;
2)透露电流密度高,惹起导体烧熔;
3)惹起过早生效的漏电流增长,击穿电压变。
化对器件的功效性损坏。只管静电敏感器件的外部已停止了掩护处置,但这仅仅是当电荷通报局限于必定尺寸和连续必定的时间内停止才有用。据无关检测申报证实,静电放电的侵害每每只要1O% 构成电子元器件其时完整生效,平日表现为短路、开路和参数的重大变更,超越其额外规模,器件完整丧失了其特定的功效;别的的90%会埋伏上去,构成积聚效应。一样平常情况下,一次ESD还不足以惹起器件立刻完整生效,但元件外部会存在某种水平的稍微毁伤,平日表现为参数有小的误差或漂移。潜在的生效并不显著,因此极易被人们疏忽。若这类元器件继承事情,跟着ESD次数的增长,积聚效应就会愈来愈显著,其毁伤水平会加重,终极招致生效。
跟着大规模MOS电路及贴装器件(SMD)的利用和元器件工艺技术的成长,招致对静电放电(ESD)的能量敏感性增长,极易惹起薄的绝缘层损坏而生效。各种半导体器件的静电损坏电压见表1。
表1 半导体器件的静电损坏电压:
从表1中能够了解到集成电路对静电的敏感性,各种芯片分歧的地方就在于所能蒙受的闽电压值分歧。实际事情前提中,20 V的静电电压间接打仗器件就足以损坏或低落其机能。
3、静电对电子产物临盆构成的迫害
静电对电子产物临盆构成的迫害主要有如下几个方面。
1) 静电吸附氛围中的尘土,易构成器件引线间的短路;
2) 静电放电损坏,使元件受损不克不及事情;
3) 静电放电电场或电流发生的热使元件受损;
4) 静电放电的幅度很大,频谱极宽(从几十兆到几千兆,迭几百伏/米)的电磁场使电子产物遭到电磁滋扰而损坏;
5)静电放电侵害的产物返工、返修,增长临盆用度,影响企业的经济效益。
综上所述,静电迫害存在于电子产物临盆的全过程。对某电装车间临盆过程当中的静电迫害的阐发成果见表2。假如对临盆过程当中易受静电侵害的部位加以节制,就会使临盆过程当中的静电迫害水平限定在最低水平。
表2 某电装车间临盆过程当中的静电迫害