器模型和带电器件模型中的ESD敏感度电压要比人体模型的小许多。例如，MM模型中要比HBM中的阈值小10～20倍。这样一来，不少器件的阈值甚至降低到1V以下，这就使得ESD防护技术变得十分严峻。

电子元器件的静电敏感度（也称ESD敏感度）也是以能够耐受的最大静电放电电压值来表示的。本书仅讨论电子产品的ESD敏感度，在4.2节我们也讨论了，即使放电电压相同，不同的放电模型的放电电流波形也是不同的

我们知道，静电的储能与电容和电压有关，在同 一 电压下，电容越大，储能越大。而放电电流与回路电阻有关，电阻越小，放电 电流越大。在这几种模型中，机器模型(MM)的电容最大，电阻 最小，因此在同一放电电压下，放电的电流最大，释放的能量越多， 其产生的危害也越大。这几种模型的放电能量相同，比如放电总能 量为0.004 mJ(假设所有的能量全部集中在电容上),各模型的带电 电压、最大放电电流和时间常数如表4-6所示，从表中可以看出， 对于同样的放电能量，CDM的最大放电电流最大，响应时间最快