不同的静电放电模型对电子设备的抗扰度分级
作者:段进成 发布于:2022-11-07 15:48:02 文字:【
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摘要:不同的静电放电模型描述的是器件的不同特性,所以在讲到器件的ESD敏感度时,应当指明所使用的模型。认识到这一点很重要,因为任何一个器件都可能遭受这三种模型ESD破坏的环境经历。所以,完整表征一个器件的ESD特性,需要同时使用这三种模型
不同的静电放电模型对电子设备的抗扰度分级
不同的静电放电模型描述的是器件的不同特性,所以在讲到器件的ESD敏感度时,应当指明所使用的模型。认识到这一点很重要,因为任何一个器件都可能遭受这三种模型ESD破坏的环境经历。所以,完整表征一个器件的ESD特性,需要同时使用这三种模型。例如,一个器件ESD敏感度的完整表述为:1BM1C3,即HBM:500V~<1000V,MM:<100 V,CDM:250 V~<500 V。
电子设备 ESD抗扰度分级

GB/T 17626.2-2006《电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验》于2006年12月19日发布,2007年9月1日实施。该标准等同采用了国际标准IEC 61000-4-2:2001,将电子设备ESD抗扰度划分为5级,如表4-10所示。
表4-10 电子设备的抗扰度分级
抗扰度等级 | 接触放电 | 空气放电 |
试验电压/kV | 试验电压/kV |
1 | ±2.0 | ±2.0 |
2 | ±4.0 | ±4.0 |
3 | ±6.0 | ±8.0 |
4 | ±8.0 | ±15.0 |
(x) | 待定 | 待定 |
注:x-开放等级,试验电压值由产品标准或合同确定。
